[发明专利]用于等离子体处理设备的前馈温度控制有效
| 申请号： | 201080062730.4 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102742365A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米;沃特·R·梅丽;瑟乔伊·弗库达·秀吉;张春雷;亚莎斯维尼·帕特;达·D·源;蒂娜·琼;沙恩·C·尼维尔;道格拉斯·A·小布什伯格;费纳多·M·斯李维亚;巴德·L·梅斯;卡尔蒂克·拉马斯瓦米;汉密第·诺巴卡施 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 设备 温度 控制 | ||
【主权项】：
一种用于在工件的等离子处理期间控制处理温度的方法，包括：确定输入到处理室的等离子体功率，所述处理室在所述工件上执行等离子体处理；以及基于输入的等离子体功率，利用前馈控制信号控制在所述处理室中的温度。
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