[发明专利]寡层石墨及寡层石墨薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201080062867.X | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102781831A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈永胜;吴英鹏;张龙;黄毅 | 申请（专利权）人： | 南开大学;天津普兰纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种制备寡层石墨的方法，包括以下步骤：(1)将两个碳电极设置为阴极和阳极；以及(2)在包含惰性气体和对碳具有一定反应性的气体的混合气体气氛下，对两极施加电压。还提供一种制备寡层石墨薄膜的方法，包括以下步骤：(1)将寡层石墨固体直接涂抹成膜，或将寡层石墨固体与溶剂混合制成溶液进行涂覆，以及(2)将形成的膜在惰性或还原性气体中加热还原。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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