[发明专利]通过反应性离子蚀刻使表面结构化的方法、结构化表面和用途

摘要

本发明涉及表面结构化方法，即通过用反应性离子蚀刻在材料(1)，特别地玻璃表面上形成至少一组图案或不规则性(2)，该图案或不规则性具有亚微米高度H和至少一个亚微米或者微米的被称为宽度的横向特征维度W，特征在于该方法包括以下步骤提供所述具有至少等于100nm的厚度的材料，该材料是固体混合材料并包含单一的Si氧化物或者混合的Si氧化物，在材料中的氧化物摩尔百分比为至少40%，尤其为40‑99%；和至少一种与氧化物的Si不同性质的物质，其尤其为金属，其中在该材料中的所述一种或多种物质的摩尔百分比为从1%直至50%，并且低于所述氧化物的百分比，同时所述物质的至少大部分具有小于50nm的最大特征维度，尤其所述混合材料在蚀刻之前是亚稳定的，在蚀刻之前任选地加热所述混合材料，在大于1cm2的表面上使所述混合材料的表面结构化低于一小时，直至形成所述图案的组，该结构化步骤任选地包括加热混合材料。

主权项

表面结构化方法，即通过使用反应性离子蚀刻在材料(1)的表面上形成至少一组不规则性或图案(2)，该不规则性或图案具有亚微米高度H和至少一个亚微米或者微米的被称为宽度的横向特征维度W，特征在于该方法包括以下步骤：‑ 提供具有至少100nm的厚度的材料，该材料是固体混合材料并包含：‑ 单一的硅氧化物或者混合的硅氧化物，在混合氧化物情况下，硅氧化物占混合氧化物的80%至90%，在材料中的氧化物摩尔百分比为至少40%；‑ 至少一种与氧化物的硅不同性质的物质，其为过渡金属或Sn、Ga、Sb、In，其中在该材料中的所述至少一种与氧化物的硅不同性质的物质的摩尔百分比为从1%直至50%，并且低于所述硅氧化物的摩尔百分比，同时所述物质的至少80%具有小于50nm的最大特征维度，‑ 使用低于30分钟的蚀刻时间在大于1cm2的蚀刻表面上使所述固体混合材料的表面结构化，直至形成所述至少一组图案，其中掩蔽是任选的。