[发明专利]用于半导体加工的暂时晶片粘结方法无效
| 申请号： | 201080063084.3 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102753636A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | B·哈克尼斯 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | C09J5/06 | 分类号： | C09J5/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;王漪 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种暂时晶片粘结方法，所述方法采用固化性粘合剂组合物，以及与所述固化性粘合剂组合物组合的降解剂。所述粘合剂组合物可以包括(A)平均每分子包含至少两个硅键合不饱和有机基团的聚有机硅氧烷，(B)平均每分子包含至少两个硅键合氢原子的有机硅化合物，所述有机硅化合物的量足以固化所述组合物，(C)催化量的硅氢加成催化剂以及(D)碱。通过固化所述组合物制备的所述膜在加热下是可降解且可移除的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 加工 暂时 晶片 粘结 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：(1)在第一基板上形成膜，其中所述膜包含：(I)固化性粘合剂组合物，和(II)降解剂；任选地(2)加热步骤(1)的所述产物，(3)将第二基板施加至所述膜上，其中所述第一基板和所述第二基板中的至少一个是半导体晶片，(4)使所述膜固化以形成固化膜，(5)加工所述半导体晶片，(6)通过加热降解所述固化膜，任选地(7)用溶剂从所述半导体晶片移除残余物，(8)分离所述第一基板和所述第二基板，以及任选地(9)用溶剂和/或蚀刻溶液从所述半导体晶片移除残余物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于道康宁公司，未经道康宁公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080063084.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制备乳酸的方法
- 下一篇：由卤化聚碳酸酯制成的光学膜
