[发明专利]衬底处理方法无效
| 申请号： | 201080063856.3 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102804412A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 洪性在;韩锡万;陈周;郑镇烈 | 申请（专利权）人： | 丽佳达普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;林锦辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在衬底上形成薄膜的过程中，需要一种衬底处理方法来提高过程效率并形成高质量的薄膜。为此，根据本发明的衬底处理方法包括：在第一腔中通过气相沉积过程在衬底上形成包括III族元素和V族元素的有源层；将所述衬底从所述第一腔传送到缓冲腔，然后将所述衬底送入不同于所述第一腔的第二腔；以及在所述第二腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的p型层。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理方法，包括步骤：在第一腔中通过气相沉积过程在衬底上形成包括III族元素和V族元素的有源层；将所述衬底从所述第一腔传输到缓冲腔，然后将所述衬底传输到不同于所述第一腔的第二腔；以及在所述第二腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的p型层。
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