[发明专利]具有非线性电阻性场分级的功率电子模块及其制作方法无效
申请号: | 201080064079.4 | 申请日: | 2010-12-16 |
公开(公告)号: | CN102754204A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | F.格罗伊特;J.舒德雷尔;L.唐策尔 | 申请(专利权)人: | ABB技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/62;H01L23/373 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 汤春龙;朱海煜 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 本发明涉及具有包括衬底(2)、在衬底(2)上形成的金属层(3,4,5)和沿金属层(3,4,5)的边缘(12到16)定位的场分级构件(17,23)的电子器件的功率电子器件。场分级构件(17)具有非线性电气电阻率。本发明还涉及制造这种功率电子器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 非线性 电阻 分级 功率 电子 模块 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
功率电子模块,包括电子器件(1),所述电子器件(1)包括用于承载半导体元件(6)的绝缘衬底(2)、在所述衬底(2)上形成的至少一个金属层(3,4,5)和沿所述至少一个金属层(3,4,5)与所述绝缘衬底(2)之间形成的至少一个边缘(12到16)定位在所述衬底(2)上的场分级构件(17),其特征在于:所述场分级构件(17)具有非线性电气电阻率。
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