[发明专利]背面场型异质结太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201080064209.4 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102763227A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 梁秀美;卢星奉;宋锡铉 | 申请(专利权)人: | 现代重工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国蔚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种背面场异质结太阳能电池及其制造方法。根据本发明的背面场型异质结太阳能电池包括第一导电型的晶体硅基板、依次层置在所述基板的正面上的本征层和所述第一导电型的非晶硅层、在所述第二导电型的非晶硅上层叠的防反射膜、所述第一导电型的结区域和所述第二导电型的结区域,以及第一导电型电极和第二导电型电极,从所述基板的背面形成所述第一导电型的结区域和所述第二导电型的结区域,直至进入到所述基板内部达到预先设定的深度,所述第一导电型电极和所述第二导电型电极分别设置在所述第一导电型的所述结区域和所述第二导电型的所述结区域上;其中所述第一导电型电极和所述第二导电型电极交替布置。 | ||
搜索关键词: | 背面 场型异质结 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背面场异质结太阳能电池,包括:第一导电晶体硅基板;本征层和第一导电非晶硅层,所述本征层和所述第一导电非晶硅层依次形成在所述基板的正面上;防反射膜,所述防反射膜形成在所述第二导电非晶硅上;第一导电结区域和第二导电结区域,所述第一导电结区域和所述第二导电结区域从所述基板的背面形成,直至进入所述基板中达到预先设定的深度;以及第一导电电极和第二导电电极,所述第一导电电极和所述第二导电电极分别设置在所述第一导电结区域和所述第二导电结区域上,其中所述第一导电电极和所述第二导电电极交替布置。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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