[发明专利]半导体模块的制造方法、半导体模块以及制造装置有效

专利信息
申请号: 201080064816.0 申请日: 2010-02-24
公开(公告)号: CN102782836A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 水野宏纪 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01L23/40 分类号: H01L23/40;B23K1/19;B23K31/02
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 柳春雷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在半导体模块(100)的制造方法中,通过绝缘树脂片材(40)将具有相互不同的热膨胀率的金属层(20)和冷却器(30)一体化,并且将半导体元件(10)经由焊料(15)载置在金属层(20)上的工件(1)移入回流炉(200)中。然后,在该状态下在回流炉(200)内加热,从而将半导体元件(10)安装在金属层(20)上。此时,为了使冷却器(30)的热膨胀量与金属层(20)的热膨胀量相等,以在金属层(20)和冷却器(30)之间设置温度差的方式对冷却器(30)进行加热。
搜索关键词: 半导体 模块 制造 方法 以及 装置
【主权项】:
一种半导体模块的制造方法,所述半导体模块包括:半导体元件;金属层,所述半导体元件被安装在所述金属层上;冷却器,所述冷却器由热膨胀率与所述金属层不同的原料构成;以及绝缘粘接层,所述绝缘粘接层粘接所述金属层和所述冷却器,并且使所述金属层与所述冷却器电绝缘,所述半导体模块的制造方法的特征在于,包括安装工序,在所述安装工序中,对通过所述绝缘粘接层将所述金属层和所述冷却器粘接成一体、并将所述半导体元件隔着焊料载置在所述金属层上的被加热体进行加热,使得所述金属层和所述冷却器中的热膨胀率较低的部件即低热膨胀部件的温度比所述金属层和所述冷却器中的热膨胀率较高的部件即高热膨胀部件的温度高。
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