[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

公开了具有良好电池特性的太阳能电池、以及该太阳能电池的制造方法。具体地，公开了包括至少一层光电转换元件的太阳能电池的制造方法，在这些层中由微晶硅膜构成的i型硅层设置在n型硅层和p型硅层之间，并且基板侧n型硅层或p型硅层由非晶硅膜构成。在该方法中，通过将含硅烷气体和氢气的混合气体引入腔室的等离子体CVD法来形成光电转换元件，并且在基板侧n型硅层或p型硅层与i型硅层之间形成由微晶硅膜构成的籽晶层。籽晶层在与基板侧n型硅层或p型硅层接触的部分中具有比i型硅层低的结晶率，并且继续至结晶率朝着i型硅层阶段性地或逐渐地增大的i型硅层。

主权项

一种具有至少一层或多层光电转换元件的太阳能电池，在所述层中由微晶硅膜构成的i型硅层设置在n型硅层和p型硅层之间，所述太阳能电池的特征在于，所述光电转换元件使得置于基板侧的所述n型硅层或p型硅层由非晶硅膜构成，以及由微晶硅膜构成的籽晶层设置在置于所述基板侧的所述n型硅层或p型硅层与所述i型硅层之间，其中与置于所述基板侧的所述n型硅层或p型硅层接触的部分的结晶率低于所述i型硅层的结晶率，并且所述结晶率朝着所述i型硅层侧、继续至所述i型硅层连续地或分两个或更多个阶段逐渐地增大。