[发明专利]用于远程等离子体源辅助的含硅膜沉积的方法和装置无效
申请号: | 201080065504.1 | 申请日: | 2010-03-17 |
公开(公告)号: | CN102892922A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 安纳马莱·拉克师马纳;方俊;唐建设;达斯廷·W·霍;福兰斯马尔·斯楚弥特;艾伦·曹;汤姆·周;布赖恩·西-元·施赫;哈里·K·波奈卡恩提;克里斯·埃博斯帕希尔;原铮 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/205 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于在形成太阳能电池期间沉积非晶和微晶硅膜的装置和方法。在一个实施例中,提供方法和装置以产生氢自由基并将氢自由基直接引导至处理室的处理区域中以与含硅前驱体反应而在衬底上进行膜沉积。在一个实施例中,氢自由基由远程等离子体源产生并被直接引导经过视线路径到达处理区域中,以使得氢自由基在到达处理区域之前的能量损失最小化。 | ||
搜索关键词: | 用于 远程 等离子体 辅助 含硅膜 沉积 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种用于沉积含硅膜的方法,其包括:远离处理室产生氢自由基;将所述氢自由基的流动引导至所述处理室的处理区域中,其中,衬底设置在所述处理区域中;和将含硅气体的流动引导至所述处理室的所述处理区域中,其中,所述氢自由基在到达所述处理室的所述处理区域之前不与所述含硅气体混合。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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