[发明专利]结构体、定域型表面等离子共振传感器用芯片、及定域型表面等离子共振传感器、以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201080065629.4 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102884414A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 濑崎文康;福田隆史 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实现一种能够提供灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的定域型表面等离子共振传感器用芯片。本发明的结构体的特征在于：包括平面部及筒状体；筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置；所述筒状体的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内；且所述筒状体的开口部内径A、与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比（A/B）在1.00以上且1.80以下的范围内；所述筒状体的底部为非球面。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 定域型 表面 等离子 共振 传感 器用 芯片 传感器 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种结构体，其特征在于：包括平面部及筒状体；筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置；所述筒状体的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内；且所述筒状体的开口部内径A、与所述筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比A/B在1.00以上且1.80以下的范围内；所述筒状体的底部为非球面。
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