[发明专利]用于铜和铜合金微蚀刻的组合物和方法有效
| 申请号： | 201080065730.X | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102822390A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | D·特夫斯;C·斯巴林;M·汤姆斯 | 申请（专利权）人： | 安美特德国有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H05K3/38;B44C1/22;H05K3/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了一种在印刷电路板制造期间用于铜或铜合金蚀刻的组合物和使用所述组合物的方法。所述组合物包含铜盐、卤化物离子源、缓冲剂体系和作为蚀刻精制剂的苯并噻唑化合物。本发明的组合物和方法尤其可用于制造具有<100μm的结构特征的印刷电路板。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 铜合金 蚀刻 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于铜或铜合金表面微蚀刻的组合物，包含：i)至少一种Cu2+离子源，ii)至少一种卤化物离子源，其中卤化物离子选自氟离子、氯离子和溴离子，iii)至少一种酸，iv)至少一种有机酸盐，v)和至少一种根据式I的蚀刻精制剂![]()
式其中R1选自氢、C1-C5-烷基或者取代的芳基或烷芳基；R2在5或6位并且选自氢、C1-C5-烷基或C1-C5-烷氧基；R3和R4相同并且选自氢和C1-C5-烷基；和X-是合适的阴离子。
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