[发明专利]具备具有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区的半导体基板的半导体装置

摘要

本发明提供一种二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，其能够抑制绝缘栅双极性晶体管区和二极管区之间的载流子移动，从而抑制绝缘栅双极性晶体管动作时的通态电压的上升，且改善二极管的恢复特性。在二极管区(20)和绝缘栅双极性晶体管区(40)被形成在同一半导体基板上的半导体装置中，在半导体基板的背面侧，于二极管区的第二导电型的阴极区(30)和绝缘栅双极性晶体管区的第一导电型的集电区(52)之间，设置有低浓度区(100)。低浓度区(100)具有第一低浓度区和第二低浓度区中的至少某一方，所述第一低浓度区为第一导电型，且与集电区相比第一导电型的杂质浓度较低，所述第二低浓度区为第二导电型，且与阴极区相比第二导电型的杂质浓度较低。

主权项

一种半导体装置，其为二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，其中，二极管区具备：第一导电型的阳极区，其露出于半导体基板的表面；第二导电型的二极管漂移区，其被形成于阳极区的背面侧；第二导电型的阴极区，其与二极管漂移区相比第二导电型的杂质浓度较高，并被形成于二极管漂移区的背面侧，绝缘栅双极性晶体管区具备：第二导电型的发射区，其露出于半导体基板的表面；第一导电型的体区，其被形成于发射区的侧方以及背面侧，并与发射电极相接；第二导电型的绝缘栅双极性晶体管漂移区，其被形成于体区的背面侧；第一导电型的集电区，其被形成于绝缘栅双极性晶体管漂移区的背面侧；栅电极，其通过绝缘膜而与将发射区和绝缘栅双极性晶体管漂移区分离的范围内的体区对置，在半导体基板的背面侧的阴极区与集电区之间，设置有低浓度区，低浓度区具有第一低浓度区和第二低浓度区中的至少某一方，所述第一低浓度区为第一导电型，且与集电区相比第一导电型的杂质浓度较低，所述第二低浓度区为第二导电型，且与阴极区相比第二导电型的杂质浓度较低。