[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080066028.5 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102822959A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 时田裕文 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L27/11;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种n沟道型HK/MG晶体管，其具有由含有La和Hf的第一高介电膜形成的栅极绝缘膜、及由金属膜和多晶硅膜的层叠膜形成的栅电极，并形成在由形成在半导体衬底的主面上的由含有氧原子的绝缘膜形成的元件分离部围成的活性区域，其中，在跨过元件分离部的上述栅电极下方，代替第一高介电膜，形成有La的含量比第一高介电膜少的、含有Hf的第二高介电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：元件分离部，形成在半导体衬底的主面上，由含有氧原子的绝缘膜形成；活性区域，形成在所述半导体衬底的主面上，且与所述元件分离部相邻；第一绝缘膜，形成在所述活性区域及所述元件分离部上，并含有La和Hf；第二绝缘膜，在所述元件分离部之上与所述第一绝缘膜相连，La的含量比所述第一绝缘膜少且含有Hf；栅电极，形成在所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080066028.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：药房用取药窗口
- 下一篇：户外可移动太阳能零售站
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
