[发明专利]制造半导体级硅晶锭的方法、可再使用的坩埚及其制造方法有效
| 申请号： | 201080066044.4 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102859049A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 凯·约翰森;施泰因·朱尔斯鲁德;蒂克·劳伦斯·纳斯;杰罗·沃尔夫冈·纳鲁特 | 申请（专利权）人： | REC沃佛普特有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06;C30B15/10;C30B35/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 郇春艳;谢丽娜 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体级硅的晶锭的方法，所述半导体级硅包含太阳能级硅，还涉及用于所述方法中的可再使用的坩埚和制造所述可再使用的坩埚的方法，其中所述方法的特征在于，在由碳纤维增强的碳化硅复合材料制成的可再使用坩埚中制造所述硅晶锭，其中所述复合材料在高于400℃的温度下具有小于4×10-6K-1且在低于400℃的温度下具有小于3×10-6K-1的热膨胀系数，并在25℃至1500℃的温度下具有至少5W/mK的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 级硅晶锭 方法 使用 坩埚 及其 | ||
【主权项】：
制造半导体或太阳能级硅晶锭的方法，其中所述方法包括：‑提供半导体或太阳能级硅的进料；‑将所述半导体/太阳能级硅的进料放入由碳纤维增强的碳化硅复合材料制成的坩埚中，所述复合材料在高于400℃的温度下具有小于4×10‑6K‑1且在低于400℃的温度下具有小于3×10‑6K‑1的热膨胀系数，并在25℃至1500℃的温度下具有至少5W/mK的热导率；‑将具有硅进料的所述碳纤维增强的碳化硅复合材料坩埚放入热区域中，所述热区域对含有惰性气氛的熔化和凝固炉的环境气氛是密封的；和‑将具有硅进料的所述碳纤维增强的碳化硅复合材料坩埚加热至高达高于1414℃的温度以熔化所述硅进料；以及‑对所述熔融硅实施定向凝固以形成半导体/太阳能级硅晶锭。
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