[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si系合金无效
| 申请号： | 201080066045.9 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102822364A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 大久保光浩 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/10;C22F1/08;C22F1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孔青;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过控制Ni-Si化合物颗粒的分布状态，来谋求提高Corson系合金的特性。电子材料用铜合金，该铜合金含有Ni：0.4～6.0质量%、Si：0.1～1.4质量%，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，且该铜合金中存在粒径为0.01μm以上且不足0.3μm的Ni-Si化合物小颗粒和粒径为0.3μm以上且不足1.5μm的Ni-Si化合物大颗粒，上述小颗粒的个数密度为1～2000个/μm2，上述大颗粒的个数密度为0.05～2个/μm2。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 材料 cu ni si 合金 | ||
【主权项】：
电子材料用铜合金，该铜合金含有Ni：0.4～6.0质量%、Si：0.1～1.4质量%，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，且该铜合金中存在粒径为0.01μm以上且不足0.3μm的Ni‑Si化合物小颗粒和粒径为0.3μm以上且不足1.5μm的Ni‑Si化合物大颗粒，上述小颗粒的个数密度为1～2000个/μm2，上述大颗粒的个数密度为0.05～2个/μm2。
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