[发明专利]用于检测磁芯中的磁特征参量的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201080066146.6 申请日: 2010-04-14
公开(公告)号: CN102985838A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: P.哈姆贝格尔;A.莱克莫泽尔 申请(专利权)人: 奥地利西门子公司
主分类号: G01R33/07 分类号: G01R33/07;G01R33/00;H01F27/38;H01F27/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 杜荔南;刘春元
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 用于检测被磁通量穿过的磁芯(2)的片段(L1)中的磁特征参量、尤其是磁场强度(H1)的方法,其中磁芯(2)的磁通量的一部分(18)被分叉并且至少分段地在磁旁路部分(7)中被引导,其中旁路部分(7)的磁材料不饱和,并且其中借助于传感器设备和分析设备(8,10)从磁通量的分叉部分(18)或者由此导出的参量中确定磁特征参量(H1)。
搜索关键词: 用于 检测 中的 特征 参量 方法 装置
【主权项】:
用于检测被磁通量穿过的磁芯(2)的片段(L1)中的磁特征参量、尤其是磁场强度(H1)的方法,其中磁芯(2)的磁通量的一部分(18)被分叉并且至少分段地在磁旁路部分(7)中被引导,其中旁路部分(7)的磁材料不饱和,并且其中借助于传感器设备和分析设备(8,10)从磁通量的该分叉部分(18)或者由此导出的参量中确定磁特征参量(H1)。
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