[发明专利]带温度分布控制的加工方法和装置有效
| 申请号： | 201080066401.7 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102859645A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 艾里克斯·古拉里;米海尔·贝洛索夫;瓦迪姆·波谷斯拉斯基;博扬·米特洛维奇 | 申请（专利权）人： | 威科仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/687 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王程;黎艳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了晶片处理方法和装置，其具有晶片载体（80），用于固定晶片（124）并向晶片与晶片载体之间的间隔（130）内注入填充气体。所述装置设置为可填充气体的成分、流速或同时改变二者，以抵消晶片温度非均匀性的非理想模式。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 分布 控制 加工 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种晶片加工方法，包括：（a）将一个或多个晶片固定在载体上，以使每个晶片的底部表面直接面对所述载体的表面，同时在每个晶片的底部表面与其所面对的载体表面之间具有间隔，从而使每个晶片的顶部表面是暴露的；（b）至少部分地通过热传递加热晶片，所述热传递为：来自所述载体的热量越过每个晶片底部表面与其所面对的载体表面之间的间隔传递到所述晶片；（c）在以上加热步骤中，对晶片暴露的顶部表面施加一种或多种加工气体；以及（d）在以上施加气体步骤中，改变分布于每个晶片底部表面与其所面对的载体表面之间的间隔内的填充气体的导热率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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