[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件、III族氮化物半导体激光器元件的制作方法

摘要

提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。将基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向对准支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向，以支撑装置(71)的边缘(71b)为基准将基板产物(SP)定位。基板产物(SP)以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1)为界分为第1区域(70a)及第2区域(70b)。利用支撑面(70a)支撑基板产物(SP)的第1区域(70a)并按压第2区域(70b)而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(SP1)及激光条(LB1)。将致断装置(69)的边缘(69a)的方向对准边缘(71b)的延伸方向，自与第2面(63b)交叉的方向将致断装置(69)的边缘(69a)抵压到基板产物(SP)。

主权项

一种III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其包括如下步骤：形成具有激光器构造体的基板产物，该激光器构造体包括由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的基板以及形成于上述半极性主面上的半导体区域；刻划上述基板产物的第1面，形成向上述六方晶系III族氮化物半导体的a轴方向延伸的刻划标记；以及在形成上述刻划标记后，支撑上述基板产物的第1区域，并且不支撑上述基板产物的第2区域而对该第2区域进行按压，由此进行上述基板产物的分离，形成另一基板产物及激光条，上述基板产物由预定的基准线分为上述第1及第2区域的两区域，上述第1及第2区域彼此相邻，上述按压对上述基板产物的第2面进行，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，上述半导体区域位于上述第1面与上述基板之间，上述激光条具有自上述第1面延伸至上述第2面且通过上述分离而形成的第1及第2端面，上述第1及第2端面构成该III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器，上述基板产物包括设置于上述激光器构造体上的阳极电极及阴极电极，上述半导体区域包括由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层以及设置于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿着上述半极性主面的法线轴排列，上述基板的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴相对上述法线轴向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴方向以角度ALPHA倾斜，上述第1及第2端面与由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及上述法线轴规定的m‑n面交叉。