[发明专利]激光退火处理装置及激光退火处理方法在审
| 申请号： | 201080067800.5 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102971833A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 次田纯一;郑石焕;町田政志 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邱忠贶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光退火处理装置及激光退火处理方法，在对半导体膜照射脉冲激光来进行退火时，无需提高合适的脉冲能量密度，就能增大该脉冲能量密度的容限。包括：输出脉冲激光的激光光源；对脉冲激光进行整形并引导至作为处理对象的半导体膜的光学系统；以及设置被脉冲激光照射的所述半导体膜的工作台，照射到所述半导体膜上的所述脉冲激光的脉冲能量密度从最大高度的10%到该最大高度为止的上升时间为35ns以下，从最大高度到该最大高度的10%为止的下降时间为80ns以上，从而，无需格外增大适合结晶等的脉冲能量密度，就能增大其容限，能够进行良好的退火处理，而不会降低处理量。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种激光退火处理装置，其特征在于，包括：输出脉冲激光的激光光源；对所述脉冲激光进行整形并引导至作为处理对象的半导体膜的光学系统；以及设置被所述脉冲激光照射的所述半导体膜的工作台，照射到所述半导体膜上的所述脉冲激光的脉冲能量密度从最大高度的10%到该最大高度为止的上升时间为35ns以下，从所述最大高度到该最大高度的10%为止的下降时间为80ns以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
