[发明专利]用于标记太阳能电池的方法以及太阳能电池无效
| 申请号： | 201080068212.3 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103109374A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | M·赫鲁斯卡;C·斯万克斯科;M·舍夫;J·米勒;A·库克斯 | 申请（专利权）人： | 韩华Q.CEllS有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0236;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王凤桐;周建秋 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于标记太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：提供太阳能电池基板（1）；选择识别图样以用于在太阳能电池的制造过程的处理步骤中识别太阳能电池基板（1）和/或用于在将太阳能电池组装为太阳能电池模块后追踪太阳能电池基板（1）；在太阳能电池基板（1）的表面（2）上形成蚀刻耐受层（3）；用蚀刻剂蚀刻太阳能电池基板（1）的表面（2），从而形成蚀刻耐受层（3）使得识别图样的形状中的表面（2）的图样区域（4）免受蚀刻剂。此外，本发明涉及一种太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 标记 太阳能电池 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种用于标记太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：提供太阳能电池基板（1）；选择识别图样以用于在太阳能电池的制造过程的处理步骤中识别所述太阳能电池基板（1）和/或用于在将太阳能电池组装为太阳能电池模块后追踪所述太阳能电池基板（1）；在所述太阳能电池基板（1）的表面（2）上形成蚀刻耐受层（3）；用蚀刻剂蚀刻所述太阳能电池基板（1）的表面（2），从而形成蚀刻耐受层（3）使得所述识别图样的形状中的所述表面（2）的图样区域（4）免受所述蚀刻剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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