[发明专利]含钼靶材有效

专利信息
申请号: 201080068769.7 申请日: 2010-07-01
公开(公告)号: CN103154306A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: G·A·罗扎克;M·E·盖多斯;P·A·霍根;S·孙 申请(专利权)人: H·C·施塔克公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23F1/14
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 张海文
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及包括50原子%或更多钼、第二金属元素钛及第三金属元素铬或钽的溅射靶材,以及由所述溅射靶材制造的沉积膜。在本发明的优选方面,所述溅射靶材包括一富钼相、一富钛相及一富第三金属元素相。
搜索关键词: 含钼靶材
【主权项】:
一种溅射靶材,包括:i)占所述溅射靶材原子总数大约40原子%或更多的钼;ii)占所述溅射靶材原子总数大约1原子%或更多的钛;及iii)占所述溅射靶材原子总数大约1原子%或更多的第三金属元素,其中所述第三金属元素是钽或铬;因此所述溅射靶材可用于制造含有合金的沉积膜,所述合金包括钼、钛和第三金属元素。
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