[发明专利]CMOS工艺中的RF开关实现方式在审
| 申请号： | 201080069202.1 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103201954A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | Y·哈森;A·莫斯托夫 | 申请（专利权）人： | DSP集团有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/693 | 分类号： | H03K17/693;H04B1/48 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 以色列赫*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 一种用于在至少四个状态之间切换的双极双通开关（100）。该开关包含诸如N沟道金属氧化物半导体晶体管的四个晶体管（120、124、128、132），使得在每个状态，至多一个晶体管处于“导通”状态，且其他晶体管处于“截止”状态。每个晶体管（120、124、128、132）具有其自己的控制电路，该控制电路向晶体管的漏极提供零或负电压，向晶体管的源极提供正电压，且向晶体管的栅极提供交流电压。开关（100）可以针对设备片上使用。这种设备可以包括基站或无绳电话的手持机。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 中的 rf 开关 实现 方式 | ||
【主权项】：
一种开关，用于在四个选项之间选择，所述开关包含至少四个晶体管，其中在任意时刻，至多一个晶体管处于“导通”状态，其中所述开关是片上开关。
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