[发明专利]定向重结晶的石墨烯生长衬底有效
申请号: | 201080069270.8 | 申请日: | 2010-09-28 |
公开(公告)号: | CN103124691A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 托马斯·A·叶戈 | 申请(专利权)人: | 英派尔科技开发有限公司 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;C03B29/00;C23C16/26;H01L21/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一般地描述了形成适于生长石墨烯的衬底的工艺和/或方法,包括:在准备好的衬底上形成金属层;在金属层上形成电介质材料层;以及然后对金属层进行定向重结晶以形成重结晶金属层,所述重结晶金属层适于生长具有约15微米或更大长度的石墨烯单层。 | ||
搜索关键词: | 定向 重结晶 石墨 生长 衬底 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:在衬底上形成金属层;在金属层上形成电介质材料层;以及对金属层进行定向重结晶以形成重结晶金属层,所述重结晶金属层适于生长石墨烯单层,其中所述石墨烯单层具有约15微米或更大的长度。
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