[发明专利]形成纳米结构的方法有效
| 申请号： | 201080069720.3 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103249873A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | P.马迪罗维奇;Q.韦;A.M.富勒 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | C25D11/04 | 分类号： | C25D11/04;B82B3/00;C25D11/26;C25D11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 赵苏林;杨思捷 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成纳米结构(100,100’)的方法，包括形成多层结构(10)，多层结构(10)包括建立在基底(12)上的可氧化材料层(14)和建立在可氧化材料层(14)上的另一可氧化材料层(16)。可氧化材料层(14)为在氧化期间膨胀系数大于1的可氧化材料。由另一可氧化材料层(16)形成包括多个孔(18)的模板(16’)。氧化结构(14’)由可氧化材料层(14)生长经过每个孔(18)并在模板表面之上生长。氧化结构(14’)的生长包括在每个孔(18)内形成独立的纳米柱(20)，其在基本上垂直于基底(12)的位置取向。氧化结构(14’)在基底表面之上的生长包括合并独立的纳米柱(20)的各自的末端(21)以形成基本上连续的覆盖层(22,22’)。模板(16’)被选择性地去除以暴露纳米柱(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
形成纳米结构(100、100’)的方法，包括：形成多层结构(10)，其包含 i)建立在基底(12)上的可氧化材料层(14)，和ii)建立在可氧化材料层(14)上的另一可氧化材料层(16)，所述可氧化材料层(14)由在氧化过程中具有大于1的膨胀系数的可氧化材料形成；由所述另一可氧化材料层(16)形成模板(16’)，所述模板(16’)包含限定在其中的多个孔(18)；由可氧化材料层(14)生长氧化物结构(14’)，其穿过所述多个孔(18)中的每一个并在模板(16’)的表面之上生长，其中，氧化物结构(14’)的生长包括在所述多个孔(18)中的每一个内形成独立的纳米柱(20)，所述孔(18)在基本上垂直于基底(12)的位置取向，并且其中氧化物结构(14’)在模板(16’)表面之上的生长包括合并独立的纳米柱(20)的各自末端(21)以形成基本上连续的覆盖层(22、22’)；和选择性地去除模板(16’)以暴露所述多个纳米柱(20)。
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