[发明专利]形成带帽纳米柱有效
| 申请号： | 201080069728.X | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103153842A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | P.马迪洛维奇;Q.魏;A.M.富勒 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 董均华;傅永霄 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供形成具有带帽纳米柱的物品，所述物品包括在其上形成有纳米结构阵列的基底，所述纳米结构阵列包括多个纳米柱，所述多个纳米柱具有第一厚度的茎部分和第二厚度的帽部分，所述第二厚度不同于所述第一厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 | ||
【主权项】：
一种物品，包括：基底；在所述基底上形成的纳米结构阵列，所述纳米结构阵列包括多个纳米柱，所述多个纳米柱具有第一厚度的柱状茎部分和第二厚度的柱状帽部分，所述第二厚度不同于所述第一厚度。
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