[发明专利]电子制品及形成方法

摘要

本发明公开了一种电子制品，所述电子制品包括具有3.7±2的折射率的光电半导体和设置在所述光电半导体上的介质层。所述介质层具有至少50μm的厚度和1.4±0.1的折射率。所述电子制品包括梯度折射率涂层(GRIC)，所述梯度折射率涂层设置在所述光电半导体上并且具有50至400nm的厚度。GRIC的折射率沿厚度从2.7±0.7变动至1.5±0.1。GRIC还沿厚度包括碳化物和碳氧化物的梯度。所述碳化物和所述碳氧化物各自独立地包括至少一个硅原子或锗原子。通过使用双频配置的等离子体增强化学气相沉积连续沉积所述GRIC并且随后将所述介质层设置在所述GRIC上，形成所述制品。

主权项

一种形成电子制品的方法，包括：光电半导体，其具有3.7±2的折射率；介质层，其设置在所述光电半导体上并且具有至少50μm的厚度和1.4±0.1的折射率；以及梯度折射率涂层，其设置在所述光电半导体上并且夹在所述光电半导体和所述介质层之间，具有50至400nm的厚度，具有沿所述厚度从第一末端处2.7±0.7变动至邻近所述介质层的第二末端处1.5±0.1的折射率，并且沿所述厚度包括碳化物和碳氧化物的梯度，其中所述碳化物和所述碳氧化物中的每一个独立地包括硅原子和锗原子中的至少一者，所述方法包括以下步骤：A.使用双频配置的等离子体增强化学气相沉积将所述梯度折射率涂层连续沉积到所述光电半导体上，随后B.将所述介质层设置在所述梯度折射率涂层上，以形成所述电子制品。