[发明专利]光伏设备以及制造光伏设备的方法无效
申请号: | 201080070214.6 | 申请日: | 2010-11-18 |
公开(公告)号: | CN103299434A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 孙诚;N.马修斯;S.姆海萨尔卡;A.曾;C.特吕特勒 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世(东南亚)私人有限公司;南洋理工大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 丁永凡;刘春元 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 一种光伏设备(1;14;17),包括:由一个主表面(3)以及一种在光波长上透明的材料组成的基底(2),布置在所述主表面(3)上的第一金属电极(6),与第一电极(6)分开的第二金属电极(11),包含了纵向外表面以及端面的多条第一半导体纳米线(7)以及至少一种光伏有源材料(10;23)。所述多条纳米线是以与基底的主表面大致平行的方式延伸的,并且包含了半导体材料。所述多条第一半导体纳米线(7)以及光伏有源材料(10;23)被布置在第一金属电极(6)与第二金属电极(11)之间。所述多条第一纳米线(7)的对端的纵向外表面(9)则被嵌入在第一金属电极(6)中。 | ||
搜索关键词: | 设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏设备(1;14;17),包括:由一个主表面(3)以及一种在光波长上透明的材料组成的基底(2),布置在所述主表面(3)上的第一金属电极(6),与第一电极(6)分开的第二金属电极(11),包含纵向外表面以及端面的多条第一半导体纳米线(7),所述多条纳米线是以与基底的主表面大致平行的方式延伸的并包含半导体材料,和至少一个光伏有源材料(10;23),所述多条第一半导体纳米线(7)以及光伏有源材料(10;23)被布置在第一金属电极(6)与第二金属电极(11)之间,所述多条第一纳米线(7)的对端的纵向外表面(9)嵌入在第一金属电极(6)中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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