[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201080070396.7 | 申请日: | 2010-11-29 |
公开(公告)号: | CN103229291A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 堤聪明;船户是宏;奥平智仁;山形整人;内田明久;铃木智久;钟江义晴;寺崎健 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 将具有利用了基准电阻的振荡电路的半导体芯片(CP1)树脂封固而形成半导体器件。振荡电路利用基准电阻生成基准电流,根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压,振荡部以与所生成的电压相应的频率进行振荡。在由半导体芯片(CP1)的主面的第1边(S1、S2、S3、S4)、连接第1边的一端与半导体芯片的主面的中心(CT1)而成的第1线(42、43、44、45)、连接第1边的另一端与半导体芯片的主面的中心而成的第2线(42、43、44、45)所包围的第1区域(RG1、RG2、RG3、RG4)内,通过在垂直于第1边的第1方向(Y)上延伸的多个电阻体形成基准电阻。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,具有被树脂封固的半导体芯片,其特征在于,所述半导体芯片具有振荡电路,所述振荡电路具有:利用基准电阻将电压转换成电流的电压‑电流转换部;根据来自所述电压‑电流转换部的输入电流和振荡部的振荡频率生成电压的电压生成部;和以与来自所述电压生成部的输入电压相应的频率进行振荡的所述振荡部,在所述电压‑电流转换部中,通过对所述基准电阻施加基准电压来生成基准电流,将与所述基准电流相应的电流作为所述输入电流而输入到所述电压生成部,所述半导体芯片的主面中,由所述半导体芯片的所述主面的第1边、连接所述第1边的一端与所述半导体芯片的所述主面的中心的第1线、和连接所述第1边的另一端与所述半导体芯片的所述主面的中心的第2线围成第1区域,所述基准电阻在所述第1区域内由在垂直于所述第1边的第1方向上延伸的所述多个电阻体形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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