[发明专利]使用氢阻挡层包封的铁电电容器无效
| 申请号： | 201080070567.6 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103250251A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | R·J·阿加沃尔;S·R·萨默菲尔特;G·B·巴瑟姆;T·S·莫伊兹 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路，其包含铁电电容器、下部氢阻挡层（2020）和覆盖的氢阻挡层（2338）。一种形成包含铁电电容器、下部氢阻挡层（2020）和覆盖的氢阻挡层（2338）的集成电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 阻挡 层包封 电容器 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其包括：铁电电容器；下部氢阻挡层，其耦合到所述铁电电容器的底表面；以及覆盖的氢阻挡层，其与所述下部氢阻挡层的顶表面的一部分接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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