[发明专利]封装衬底中具有集成无源器件的集成数字和射频片上系统器件及其制造方法有效
申请号: | 201080070816.1 | 申请日: | 2010-12-20 |
公开(公告)号: | CN103283023A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | T·卡姆嘎因;V·拉奥 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L25/18;H04B1/44 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在包括数字处理器和RF集成电路器件的混合片上系统(SoC)(DP-RFIC器件)和用于混合器件的封装衬底之间划分前端模块射频(RF)器件的功能。组装方法包括形成与封装衬底一体的电感器和变压器以及接近电感器和变压器安装DP-RFIC器件。 | ||
搜索关键词: | 封装 衬底 具有 集成 无源 器件 数字 射频 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片设备,包括:片上系统(SoC)电子器件,包括:其半导体数字处理器部分;其半导体射频集成电路(RFIC)部分,并且其中所述半导体数字处理器部分和所述半导体RFIC部分形成DP‑RFIC器件;以及耦合到所述RFIC部分的前端模块无源器件;以及封装衬底,所述DP‑RFIC器件安装在所述封装衬底上,其中所述前端模块无源器件的至少一个电感器通过所述封装衬底耦合到所述RFIC部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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