[发明专利]基板热处理设备有效
申请号: | 201080070887.1 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN103270579A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 冈田拓士;中泽俊和;铃木直行 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26;H01L21/324 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了如下基板热处理设备:该基板热处理设备能够在减少由于高温时的热膨胀引起的组成构件的破损的情况下高速、均匀地加热基板。本发明的一个实施方式为对基板进行热处理的基板热处理设备,并且包括:能够支撑基板的外周环(4);连接环(6);升降外周环(4)的升降装置(20);导热率小于外周环(4)的导热率的球(12);以及加热由外周环(4)支撑的基板的灯(11)。球(12)是不同于外周环(4)和连接环(6)两者的构件。升降装置(20)使外周环(4)在靠近灯(11)的第一位置和远离灯(11)的第二位置之间升降。 | ||
搜索关键词: | 热处理 设备 | ||
【主权项】:
一种基板热处理设备,其用于对基板进行热处理,所述基板热处理设备包括:基板支撑板,所述基板支撑板能够支撑所述基板;升降机构,所述升降机构被构造成保持所述基板支撑板并且使所述基板支撑板升降;联接构件,所述联热构件联接所述基板支撑板和所述升降机构,所述联接构件具有比所述基板支撑板的导热率低的导热率;以及加热部件,所述加热部件用于从所述基板支撑板的重力方向的上方加热由所述基板支撑板支撑的所述基板,其中,所述联接构件是不同于所述基板支撑板和所述升降机构二者的构件,并且所述升降机构包括用于使所述基板支撑板在靠近所述加热部件的第一位置和远离所述加热部件的第二位置之间升降的升降部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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