[其他]一种半导体器件

摘要

一种具有双接触孔的半导体器件及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底(200)上形成源极/漏极区域(210)和替代栅结构；沉积第一层间介电层(280)；对第一层间介电层进行平坦化处理，以暴露出替代栅结构中的替代栅；去除替代栅，并沉积形成金属栅(220)；在第一层间介电层中形成第一源/漏区接触孔(240)；在第一层间介电层上沉积第二层间介电层(380)；在第二层间介电层中形成第二源/漏区接触孔(340)和栅区接触孔(330)。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底，具有形成在其上的源极/漏极区域和栅结构，所述栅结构包括金属栅；第一层间介电层，沉积在所述半导体衬底上，具有形成在其中的第一源/漏区接触孔，所述第一源/漏区接触孔与所述源极/漏极区域相接触；以及第二层间介电层，沉积在所述第一层间介电层上，具有形成在其中的第二源/漏区接触孔和栅区接触孔，所述第二源/漏区接触孔与所述第一源/漏区接触孔相接触，以及所述栅区接触孔与所述金属栅相接触，所述第一源/漏区接触孔、所述第二源/漏区接触孔和所述栅区接触孔分别包括衬里和填充在其中的导电金属，所述衬里由从以下材料组中选择的至少一种材料构成：TiN、TaN、Ta和Ti，以及所述导电金属由从以下材料组中选择的至少一种材料构成：Ti、Al、TiAl、Cu和W；其中所述第二源/漏区接触孔与所述栅区接触孔具有相同的深度。