[其他]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201090000826.3 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN202585421U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括半导体衬底(101)；外延半导体层，外延半导体层位于半导体衬底上方的两侧位置；栅极，所述栅极位于半导体衬底上方的中间位置并且与外延半导体层相邻，和侧墙(107)，所述侧墙位于外延半导体层上方和所述栅极两侧，其中，所述栅极包括栅极导体层(111)和夹在栅极导体层和半导体衬底之间并在侧面环绕栅极导体的栅极电介质层(110)。该半导体结构的制造方法包括利用牺牲栅极在外延半导体层中形成抬高的源/漏区(121a，121b)的步骤。该半导体结构及其制造方法可用于简化超薄SOI晶体管的制造工艺和减小其导通电阻和功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：半导体衬底；外延半导体层，所述外延半导体层位于半导体衬底上方的两侧位置；栅极，所述栅极位于半导体衬底上方的中间位置并且与外延半导体层相邻，所述栅极包括栅极导体层和夹在栅极导体层和半导体衬底之间并在侧面环绕栅极导体的栅极电介质层；以及侧墙，所述侧墙位于外延半导体层上方以及所述栅极的两侧，所述半导体衬底为选自IV族半导体衬底、III族‑V族半导体衬底、SOI衬底构成的组中的一种，其中SOI衬底的顶部半导体层与所述外延半导体层由不同蚀刻速率的材料构成，其中所述SOI衬底的顶部半导体层的厚度不大于15nm。
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