[其他]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201090000829.7 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN202930361U | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体衬底(1001)，在半导体衬底(1001)上形成晶体管结构，该晶体管结构包括栅极区(100)以及源漏区(200)，栅极区包括在半导体衬底(1001)上形成的栅极介质层(1002)以及在栅极介质层(1002)上形成的牺牲栅(1003)；沉积第一层间介质层(1006)，对第一层间介质层(1006)平坦化以露出牺牲栅(1003)；去除牺牲栅(1003)以形成替代栅孔(1003′)；在第一层间介质层(1006)中与源漏区相对应的位置形成第一接触孔(1009)；以及在第一接触孔(1009)以及替代栅孔(1003′)填充第一导电材料，形成第一接触部(1010)和替代栅(1003”)，第一接触部(1010)与源漏区相接触。由于替代栅和第一接触部可在同一步骤中通过沉积相同材料来形成，因此简化了制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的晶体管结构，该晶体管结构包括栅极区以及源/漏区，所述栅极区包括在半导体衬底上形成的栅极介质层以及在栅极介质层上形成的替代栅；在半导体衬底上形成的第一层间介质层；以及在第一层间介质层中与源/漏区相对应的位置形成的第一接触部，所述第一接触部与源/漏区相接触，其中所述第一接触部与替代栅由同一导电材料层构成；所述替代栅的底部和侧壁由功函数调节层覆盖，所述第一接触部的底部和侧壁由衬层覆盖，所述功函数调节层和衬层分别由以下任一种或多种的材料组合形成：TiN、TiAlN、TaN、TaAlN、Ta和Ti。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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