[其他]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201090000844.1 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN203277329U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;钟汇才;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;卢江 |
| 地址： | 100029 中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。所述器件包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上的栅堆叠以及侧墙；形成于所述栅堆叠两侧的半导体衬底内的源极区和漏极区；其中所述栅堆叠的下部包括：高k栅介质层；形成于所述高k栅介质层上的功函数金属层；形成于所述功函数金属层上的第一金属层，其中所述第一金属层的底部和侧壁由所述功函数金属层覆盖；其中所述栅堆叠的上部包括形成于所述第一金属层及功函数金属层上的第二金属层。由于功函数金属层（214）具有高电阻并且第二金属层（218）具有低电阻，因此显著减小了栅极结构整体的电阻，进而提高了半导体器件的交流性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述器件包括:半导体衬底；形成于半导体衬底上的栅堆叠以及侧墙；形成于所述栅堆叠两侧的半导体衬底内的源极区和漏极区；其中所述栅堆叠的下部包括：高k栅介质层；形成于所述高k栅介质层上的功函数金属层；形成于所述功函数金属层上的第一金属层，其中所述第一金属层的底部和侧壁由所述功函数金属层覆盖；其中所述栅堆叠的上部为形成于所述第一金属层及功函数金属层上的第二金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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