[其他]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201090001016.X | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN202839621U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 中谷喜纪;守口正生;神崎庸辅;高西雄大 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型的目的在于维持薄膜晶体管的导通电流，并且降低截止电流。在TFT(100)中，在玻璃基板(101)上形成源极电极(110)和漏极电极(112)，在它们的上表面分别形成有包括微晶硅的n型硅层(120、121)。在n型硅层(120、121)上形成微晶硅区域(135、136)，在玻璃基板(101)上形成有非晶硅区域(130)。以覆盖它们的方式形成有微晶硅层(145)。因此，导通电流从漏极电极(112)按顺序通过微晶硅区域(135)、微晶硅层(145)、微晶硅区域(136)，向源极电极(110)流动。另外，截止电流被非晶硅区域(130)限制。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于， 是形成在绝缘基板上的顶栅型薄膜晶体管， 具备： 源极电极和漏极电极； 第1杂质半导体层和第2杂质半导体层，其含有第1导电型杂质和第2导电型杂质中的任一方，分别与上述源极电极和上述漏极电极电连接； 第1半导体层，其包括形成在上述第1杂质半导体层和第2杂质半导体层上的微晶半导体区域和在未形成有上述微晶半导体区域的区域中所形成的非晶半导体区域； 第2半导体层，其形成在上述第1半导体层上，包括微晶半导体；以及 栅极绝缘膜，其形成在上述第2半导体层上， 上述第1杂质半导体层和第2杂质半导体层包括微晶半导体，通过上述微晶半导体区域与上述第2半导体层直接电连接。
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