[发明专利]半导体结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110000433.3 | 申请日： | 2011-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102569353A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过利用SiC取代传统的SOI中的埋氧层而制得的半导体衬底。一方面，由于SiC具有较大的带隙，因而位于表层硅薄膜下的SiC层可以作为优良的低漏电流层；另一方面，由于SiC具有较高的热传导率，故可以降低器件的自发热，从而使得衬底同时具有良好的导热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；覆盖在所述硅衬底表面的碳化硅膜；以及覆盖在所述碳化硅膜表面的半导体膜。
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