[发明专利]一种选择性降解环丙沙星光催化剂的制备方法

摘要

一种选择性降解环丙沙星光催化剂的制备方法，属于材料制备及环境污染治理的技术领域。按照下述步骤进行：（1）ZnS半导体材料的水热合成；（2）ZnS表面改性；（3）分子印迹聚合物光催化剂的制备；（4）将得到的固体粉末物质洗脱印迹聚合物中的模板分子。本发明的分子印迹聚合物光催化剂的光催化降解过程可以有效的实现对目标污染物选择性识别、吸附并催化降解的目的，提高了对目标物质的有效降解的效率，具有较强的选择性处理抗生素废水的优点。

主权项

一种选择性降解环丙沙星光催化剂的制备方法，按照下述步骤进行：（1）ZnS半导体材料的水热合成：首先将Zn(COOH)2和CS(NH2)2按摩尔比1:2~5溶于适量的蒸馏水中，在恒定的速率下磁力搅拌2~10 h使两者充分混合，然后将混合溶液加入到聚四氟乙烯内衬的反应釜中，总溶液体积不超过反应釜容积的80%，在恒温120~160℃下反应12~48 h，反应结束后在室温下自然冷却，得到的产物蒸馏水和无水乙醇交替洗涤数次，离心分离，最后在50~70℃真空下干燥，最终得到粒径均匀的ZnS半导体微米球；（2）ZnS表面改性：将（1）中合成的ZnS半导体材料分散到丙烯酰胺的甲醇溶液中，使ZnS和丙烯酰胺的物质量比为6:1~3:1，室温条件下，以恒定的速率磁力搅拌10~20 h；（3）分子印迹聚合物光催化剂的制备：分子印迹聚合物的制备，首先将模板分子环丙沙星和功能单体α‑甲基丙烯酸按物质量比1:4~1:10溶于一定体积的甲醇中，在室温条件下搅拌2~8 h使其充分聚合，然后加入交联剂EGDMA和引发剂AIBN的物质量比为1:1~1:3，以及少量甲苯作为致孔剂，最后加入丙烯酰胺改性后的ZnS半导体材料作为印迹聚合物的载体，通入N210 min以除去溶液中的O2，上述混合物在恒温水浴50~80℃下聚合反应10~30 h；（4）将得到的固体粉末物质经研磨后过200目筛，然后在温度70~85℃水浴洗脱印迹聚合物中的模板分子，洗脱液为甲醇和乙酸，其体积比为9:1~7:3。