[发明专利]一种多晶硅生产方法有效
| 申请号： | 201110001521.5 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102009978A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 戴自忠 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 方强 |
| 地址： | 614800 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅生产方法，其步骤为：将回收的氯硅烷混合液加入三氯氢硅进行精馏提纯后，通过160℃的蒸汽将其加热至90℃、0.8MPa（G）的气态，加入补充氢气的回收氢气，两种气体在静态混合器中混合，然后喷入还原炉，在1050℃～1100℃的硅棒上进行还原反应，生成多晶硅。还原温度相比传统方式较低，是可以有效控制硅棒的“苞米花”缺陷的形成；本方法工序少、产率高，物料消耗低、成本低的多晶硅生产方法，在生产过程中回收氯硅烷混合液完全循环使用，是一种既不增加、不排出四氯化硅、也不需要进行四氯化硅氢化处理的氯硅烷混合液还原生产多晶硅的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅生产方法，其特征在于步骤为：将回收的氯硅烷混合液加入补充三氯氢硅进行精馏提纯后，用蒸汽将氯硅烷混合液加热汽化至90℃、0.8Mpa（G）的气态，加入补充氢气的回收氢气，两种气体在静态混合器中混合，然后喷入还原炉，在1050℃～1100 ℃的硅棒上进行还原反应，生成多晶硅。
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