[发明专利]一种双轨相变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110001523.4 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102122700A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吴关平;万旭东;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双轨相变储存器，包括下电极、下加热电极、相变材料层和上电极。下电极为栓状，下加热电极、相变材料层和上电极自下而上地设置在下电极上。本发明还提供一种双轨相变储存器的制备方法。本发明储存器的热效率更高、结构新颖，且可控制加热电极材料与相变材料接触面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双轨 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双轨相变存储器，其特征在于，包括下电极（2）、下加热电极（4）、相变材料层（6）和上电极（7）；所述下电极（2）为栓状，所述下加热电极（4）、相变材料层（6）和上电极（7）自下而上地设置在下电极（2）上；所述下加热电极（4）与相变材料层（6）构成轨道，所述轨道成对出现。
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