[发明专利]一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110001524.9 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102142519A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴关平;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器，其包括CMOS、下电极、阻变材料层、上电极和金属层。其中，下电极、阻变材料层、上电极和金属层自下而上地设置形成柱状的栓，栓设置在CMOS的保护源或漏区，金属层与上电极电性连接。本发明还提供一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器的制备方法。本发明具有低成本，制造步骤简短，器件尺寸更小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 纳米 晶阻变 材料 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器，其特征在于，其包括CMOS（1）、下电极（2）、阻变材料层（3）、上电极（4）和金属层（5）；所述下电极（2）、阻变材料层（3）、上电极（4）和金属层（5）自下而上地设置形成柱状的栓，所述栓设置在所述CMOS（1）的保护源或漏区。
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