[发明专利]一种氮化物分布式布拉格反射镜及制备方法与应用有效
| 申请号： | 201110002445.X | 申请日： | 2011-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN102593291A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 曲爽;李树强;李毓锋;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物分布布拉格反射镜及制备方法，该DBR采用AlxInyGal-x-yN/AluInvGal-u-vN四元结构。该DBR可通过调节Al、In和Ga的组分来实现晶格常数的调整或者抵消其它结构应力、调节DBR材料的折射率。由于有Ga和In的引入，生长速率也易于调节，可以比AlInN层用更高的温度生长，获得更高的晶体质量和界面平整程度。本发明的氮化物DBR用于制备含DBR的氮化镓基发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 分布式 布拉格 反射 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种氮化物分布式布拉格反射镜，包括在蓝宝石或碳化硅衬底上依次生长有成核层、缓冲层，所述成核层是氮化镓层、氮化铝层或铝镓氮层之一，所述缓冲层是非掺杂氮化镓层，其特征在于在所述缓冲层上面生长AlxInyGa1‑x‑yN/AluInvGa1‑u‑vN四元结构构成的分布式布拉格反射镜，其中，0＜x＜0.5，0＜y＜0.5，0＜u＜0.5，0＜v＜0.5，AlxInyGa1‑x‑yN层厚度为20‑70nm，AluInvGa1‑u‑vN层厚度为30‑80nm，重复周期数为15‑50。
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