[发明专利]双光阻墙及其制备方法有效
| 申请号： | 201110002459.1 | 申请日： | 2011-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN102591138A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 施林波;王晔晔 | 申请（专利权）人： | 昆山西钛微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F1/64;H01L21/027 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双光阻墙及其制备方法，主要包括玻璃清洗、涂布光刻胶、曝光、显影和烘烤等步骤，在曝光步骤采用双光阻墙光罩，曝光能量为800～1000mJ/cm2；显影步骤采用10～11g/L的Na2CO3溶液，显影3～5min。利用该方法所得光阻墙包括若干个双光阻墙单元，双光阻墙单元包括内光阻墙、外光阻墙和切割道，外光阻墙设于内光阻墙的外围，切割道设于内光阻墙和外光阻墙之间。该双光阻墙可有效增加与晶圆的胶合面积，并可减少溢胶及胶不均匀导致的气泡无胶风险。 | ||
| 搜索关键词： | 双光阻墙 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双光阻墙的制备方法，主要包括玻璃清洗、涂布光刻胶、曝光、显影和烘烤等步骤，其特征在于：在所述曝光步骤采用双光阻墙光罩，该双光阻墙光罩上对称的设有若干个双光阻墙光罩单元(1)，所述每个双光阻墙光罩单元包括光罩单元内光阻墙(11)、光罩单元外光阻墙(13)和光罩单元切割道(12)，所述光罩单元外光阻墙设于所述光罩单元内光阻墙外围，所述光罩单元切割道设于所述光罩单元内光阻墙和所述光罩单元外光阻墙之间；所述曝光步骤的曝光能量为800～1000mJ/cm2；所述显影步骤采用10～11g/L的Na2CO3溶液，显影3～5min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山西钛微电子科技有限公司，未经昆山西钛微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110002459.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
