[发明专利]图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110002778.2 | 申请日： | 2011-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN102593134A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 霍介光 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器，包括形成于衬底上的光电二极管；依次覆盖于所述光电二极管上的绝缘层和透明导电层；所述透明导电层具有上负电压信号加载端。一种图像传感器的制造方法，所述图像传感器的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成光电二极管；在光电二极管上依次形成绝缘层、透明导电层；在所述光电二极管上沉积层间介质层，形成位于所述层间介质层中、电连接于透导电层的插塞。通过改变所述负电压信号可以改变钉扎作用，进而使所述光电二极管可以获得最佳的钉扎效果。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于，包括形成于衬底上的光电二极管；依次覆盖于所述光电二极管上的绝缘层和透明导电层；所述透明导电层具有负电压信号加载端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
