[发明专利]一种基于光学发射谱信号的等离子刻蚀过程故障检测方法无效
申请号: | 201110002823.4 | 申请日: | 2011-01-07 |
公开(公告)号: | CN102157412A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 王焕钢;徐文立;赵力辉;张善贵;马宝林;孙岩 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01J3/28;G01J1/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐宁;关畅 |
地址: | 100084 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于光学发射谱信号的等离子刻蚀过程故障检测方法,其包括以下步骤:1)设置包括等离子刻蚀腔体、OES信号采集设备和监控计算机的故障检测装置;所述监控计算机内预置有先验知识模块、数据预处理模块、训练模块和故障检测模块;2)依据当前所要分析的等离子刻蚀过程的某个刻蚀步骤,将对应的先验知识输入先验知识模块;3)离线读取n个正常训练样本组成的训练样本集,结合步骤2)中的先验知识,调用数据预处理模块对各训练样本进行预处理;4)将步骤3)中预处理后的训练样本集送入训练模块,训练得到正常刻蚀过程的OES信号模板,送入故障检测模块;5)数据预处理模块接收来自OES数据采集设备的实时信号,预处理后输入到故障检测模块,并与OES信号模板进行比较,得到故障检测结果,进行显示和储存。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 光学 发射 信号 等离子 刻蚀 过程 故障 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种基于光学发射谱信号的等离子刻蚀过程故障检测方法,其包括以下步骤:1)设置故障检测装置,所述装置包括等离子刻蚀腔体、OES信号采集设备、带有显示屏的监控计算机;所述监控计算机内预置有先验知识模块、数据预处理模块、训练模块和故障检测模块;2)依据当前所要分析的等离子刻蚀过程的某个刻蚀阶段,将对应的先验知识输入先验知识模块;3)离线读取n个正常训练样本组成的训练样本集T={X1,X2,·Xn}的OES数据,结合步骤2)中的先验知识,调用数据预处理模块对各训练样本进行预处理;4)将步骤3)中,预处理后得到的训练样本集送入训练模块,进行训练,得到正常刻蚀过程的OES信号模板,送入故障检测模块,并进行存储;5)启动OES数据采集设备实时向数据预处理模块中输入OES信号,并进行预处理,将预处理后的OES信号输入故障检测模块中,通过将预处理后的OES信号与故障检测模块中的OES信号模板进行比较,得到故障检测结果,并进行显示和储存。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造