[发明专利]一种同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜无效
申请号: | 201110002998.5 | 申请日: | 2011-01-07 |
公开(公告)号: | CN102021630A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 庞来学;史红;唐新德;张金升 | 申请(专利权)人: | 山东交通学院 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;C30B30/02;C30B29/16;C30B29/62 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 赵会祥 |
地址: | 250023 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法。本发明所述的薄膜具有独特的纳米复合管结构特征,根据功能需要可实现自由控制薄膜厚度、外管直径和内管直径,具有优异的半导体特性和敏感性能,可重点应用于氧传感器、光电纳米器件等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 同轴 异质二 氧化 纳米 阵列 薄膜 | ||
【主权项】:
一种同轴异质二氧化铈纳米管‑二氧化钛纳米管阵列薄膜,其特征在于所述薄膜由如下方法制得:(1)将钛箔机械加工成10±2mm×20±5mm的片状,用240#、360#、500#、800#、1200#或1500#砂纸打磨光亮,再采用粒度为1.0的金刚石抛光膏进行机械抛光,随后采用超声波依次在乙醇、丙酮中超声除油2~5分钟,之后用去离子水进行漂洗,烘干后,待用;(2)以处理后的钛箔为阳极,以铂片为阴极,含0.3~0.5wt%NH4F和2~5vol%H2O的乙二醇溶液为电解液,在室温并磁子搅拌下,进行电化学反应;其中:电极间距为30±2mm,电压为20~60V,阳极氧化时间12~24小时;(3)用去离子水漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔,干燥后,浸入0.8~1.5mol/L的盐酸溶液中超声处理0.5~1小时,溶解掉TiO2纳米管;(4)将步骤(3)所述阳极——钛箔再作阳极,重复步骤(2),进行二次阳极氧化;(5)用乙醇、去离子水分别漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔5~6遍,干燥后在马弗炉中进行退火处理,控制升温速率为1~2℃/min,恒温区温度范围为500~700℃,恒温区处理时间为0.5~2小时,获得覆有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片;(6)将步骤(5)制备的覆有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片浸入浓度为1~1.5mol/L的硝酸亚铈的水溶液中,反应0.5~1.5小时;(7)将步骤(6)反应后的钛基片在微波炉中热处理2~5分钟,在钛基片表面获得一层同轴异质CeO2纳米管‑TiO2纳米管阵列薄膜。
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