[发明专利]钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法无效

专利信息
申请号: 201110003272.3 申请日: 2011-01-08
公开(公告)号: CN102071462A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;许兰;刘文鹏;罗建乔 申请(专利权)人: 中国科学院安徽光学精密机械研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B29/30
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了掺杂稀土钽酸盐RExBi1-xNbyTa1-yO4发光材料(RE代表Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb、Cr、Ti元素,0≤x≤0.5,0≤y≤1)。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长;RE′xBi1-xNbyTa1-yO4可用作发光显示材料、激光工作物质等。
搜索关键词: 钽铌酸铋 发光 材料 及其 熔体法 晶体生长 方法
【主权项】:
钽铌酸铋RExBi1‑xNbyTa1‑yO4发光材料,其特征在于:化合物分子式可表示为RExBi1‑xNbyTa1‑yO4,其中:RE代表Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb、Cr、Ti元素,x、y的取值范围为:0≤x≤0.5,0≤y≤1。
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