[发明专利]用于测量磁场的传感器元件、磁场传感器和用于制造传感器元件的方法有效
| 申请号： | 201110003497.9 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102169955A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | T.奥姆斯;M.凯克 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/14;G01R33/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李少丹;李家麟 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于测量磁场的传感器元件（42，42’），具有晶片结构（12），该晶片结构（12）具有半导体衬底（13）、绝缘层（14，14’）和半导体层（15，15’）。传感器元件具有穿过绝缘层（14，14’）穿通接触的凸模（16，16’），该凸模带有半导体衬底端面（17）、半导体层端面（18）和在半导体衬底（13）中的成对的平行的侧面（19；19’），其中所述端面（17，18）和侧面（19；19’）具有带有高导电性的区段（28，29，30），并且所述凸模（16，16’）在内部（27）中具有带低导电性的掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 磁场 传感器 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测量磁场的传感器元件（42，42’），具有晶片结构（12），其特征在于，该晶片结构（12）具有半导体衬底（13）、绝缘层（14，14’）和半导体层（15，15’），并且传感器元件具有穿过绝缘层（14，14’）穿通接触的凸模（16，16’），该凸模带有半导体衬底端面（17）、半导体层端面（18）和在半导体衬底（13）中的成对的平行的侧面（19；19’），其中所述端面（17，18）和侧面（19；19’）具有带有高导电性的区段（28，29，30），并且所述凸模（16，16’）在内部（27）中具有带低导电性的掺杂。
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