[发明专利]晶片的加工方法

摘要

本发明提供一种晶片的加工方法，能够在不使一个个器件的周缘产生裂纹的情况下除去侧面的变质层。所述晶片的加工方法包含以下工序：晶片磨削工序，对晶片的背面进行磨削，使晶片的厚度形成为预定厚度；变质层形成工序，从晶片的背面侧沿间隔道照射相对于晶片具有透射性的激光光线，在晶片的内部沿间隔道形成距离晶片的表面如下深度的变质层，所述深度大于器件的完成厚度；晶片分割工序，对晶片施加外力，沿着形成有变质层的间隔道将晶片分割成一个个器件；以及变质层除去工序，对晶片的背面进行磨削，使晶片形成为器件的完成厚度，由此将变质层除去，变质层除去工序使用通过利用陶瓷结合剂固定粒径为0.5μm～7μm的金刚石磨粒而形成的磨削磨具来实施。

主权项

一种晶片的加工方法，在该晶片的加工方法中，沿着间隔道分割晶片，所述晶片在表面通过呈格子状地形成的间隔道划分出多个区域，并且在所述多个区域中形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，所述晶片的加工方法包含以下工序：晶片磨削工序，在该晶片磨削工序中，对晶片的背面进行磨削，从而使晶片的厚度形成为预定的厚度；变质层形成工序，在该变质层形成工序中，从实施了所述晶片磨削工序后的晶片的背面侧沿着间隔道照射相对于晶片具有透射性的激光光线，在晶片的内部沿着间隔道形成距离晶片的表面如下深度的变质层，所述深度大于器件的完成厚度；晶片分割工序，在该晶片分割工序中，对实施了所述变质层形成工序后的晶片施加外力，沿着形成有变质层的间隔道将晶片分割成一个个器件；以及变质层除去工序，在该变质层除去工序中，对实施了所述晶片分割工序后的晶片的背面进行磨削，使晶片形成为器件的完成厚度，由此将变质层除去，所述变质层除去工序使用如下的磨削磨具来实施：该磨削磨具通过利用陶瓷结合剂对粒径为0.5μm～7μm的金刚石磨粒进行固定而形成。